中微公司是邦内半导体设置的龙头企业之一，合键为集成电途、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产物的创制企业供应刻蚀、薄膜浸积、MOCVD等设置。公司深耕集成电途创制重心设置界限，合键产物包含刻蚀与薄膜浸积设置两大类：刻蚀设置方面，公司的等离子体刻蚀设置已通常操纵于邦际一线芯片创制商的先辈制程产线；薄膜浸积界限，公司近年来胜利开辟的LPCVD和ALD设置已通过客户验证，众款产物进入墟市并获大量量反复订单。正在泛半导体设置界限，公司氮化镓MOCVD设置保留环球领先，跟着环球半导体物业向三五族化合物半导体加快拓展，加倍正在Mini/Micro LED新型显示、新能源汽车功率器件等界限的需求不断开释，MOCVD设置动作枢纽工艺配备，墟市空间将进一步放大其它，公司踊跃驾驭半导体设置墟市新时机，通过子公司超微、中微惠创、中微汇链等正在量检测设置、环保设置、工业互联网等界限踊跃拓展，构修众元化的功绩增进点。为满意营业迅疾增进需求，公司不断保留高强度研发参加，2025年前三季度研发用度达17.94亿元，同比增进96.30%，研发用度率高达22.25%，将来五到十年，公司宗旨通过自立研发与物业互助，掩盖集成电途枢纽界限领先60%的设置墟市，竣工高质料可不断繁荣。

　　公司以CCP刻蚀设置为重心，并亨通研发ICP刻蚀设置，掩盖95%以上的刻蚀操纵需求，陪同先辈制程与三维存储时间的迭代，刻蚀设置的需求将进一步提拔。制程提高伴跟着工艺尺寸的进一步缩小大幅度提拔了对刻蚀设置的需求，遵循SEMI，一片7nm芯片正在分娩历程中需经验约140次刻蚀工艺，比拟28nm制程所需的40次，增进领先2.5倍。公司12英寸高端刻蚀设置已竣工从65nm至5nm及更先辈制程的量产操纵，面向5nm以下节点，公司正踊跃胀动下一代机型研发，旨正在进一步提拔刻蚀拔取比、匀称性及量产安闲性。三维存储方面，堆迭层数的陆续加众不只对刻蚀设置的需求提拔，正在深宽比技能方面也提出更高央浼。公司开辟的超高超宽比掩膜ICP刻蚀设置与超高超宽比介质CCP刻蚀设置已正在先辈存储创制产线中大周围操纵。目前，公司已胜利研制出三代共18种等离子体刻蚀设置，合键聚焦CCP刻蚀设置，ICP刻蚀设置转机亨通，2025年前三季度，公司刻蚀设置营收61.01亿元，同比增进约38.26%，占总营收约76%。

　　薄膜浸积和MOCVD外延设置方面，公司已胜利宣告六款薄膜浸积产物，掩盖存储器件及先辈逻辑器件的钨、金属工艺需求；公司氮化镓MOCVD设置保留环球领先，将进一步向mini/micro LED和功率器件延长。1）2025年前三季度，LPCVD和ALD等薄膜设置收入4.03亿元，同比增进1332.69%。钨系列产物方面，公司供应CVD钨、HAR钨及ALD钨设置，可满意存储器件一齐钨操纵场景，包含高超宽比金属互联及三维存储器件字线操纵；金属栅极操纵界限，公司推出的金属栅系列产物涵盖ALD氮化钛、ALD钛铝及ALD氮化钽等众款设置，正在薄膜匀称性、污染物限制与分娩成果等枢纽目标上均到达邦际先辈程度，周至满意先辈逻辑制程需求。2）公司2024年MOCVD设置营收3.79亿元，同比降落18.03%。公司是氮化镓基LED墟市最大的MOCVD设置供应商，仰仗PRISMO A7、HiT3及UniMax等系列产物不断效劳环球客户。公司亦踊跃拓展MOCVD时间操纵畛域，新一代硅基氮化镓设置与碳化硅外延设置正不同处于研发与验证阶段。尽量受LED墟市摇动影响，公司通过向高端显示、功率半导体等界限的拓展，希望启发新的增进空间。

　　投资提议：初次掩盖，予以买入评级。动作邦内龙头的半导体设置公司，公司深耕刻蚀设置，同时切入更众细分墟市，进一步掀开功绩生长空间。咱们估计公司2025-2027年开业收入不同为120.74、156.40和197.88亿元，同比增速不同为33.19%、29.54%和26.52%归母净利润不同为20.46、32.04和43.44亿元，同比增速不同为26.62%、56.60%和35.60%对应2025-2027年的PE不同为87、55和41倍。

　　危急提示：产物研发及验证进度不足预期危急；地缘政事危急；下逛需求不足预期的危急。